Une nouvelle forme de mutation intronique, identifiée dans le gène atm

Alors que dans la plupart des cas les mutations génétiques sont situées sur une partie codante d’un gène, des chercheurs italiens et allemands rapportent dans la revue Nature Genetics le cas d’un individu affecté par une forme d’ataxie-télangiectasie, dans laquelle un intron du gène impliqué dans cette maladie (atm) est muté, provoquant le mauvais épissage de son ARN.

L’ataxie-télangiectasie (ou syndrome de Madame Louis-Bar) est une maladie autosomique récessive responsable de troubles nerveux, immunologiques, et prédisposant à certains cancers (voir dépêche1 caducée et 2).

Le gène responsable, appelé atm, codant pour une protéine kinase, se trouve muté au niveau d’un des exons du gène (A->T), dans la majorité des cas.

Franco Pagani (Trieste, Italie) et al (Hanovre, Allemagne) ont identifié chez un patient affecté par l’ataxie-télangiectasie, une inclusion exonique de 65 paires de bases (pb) dans le gène atm associée à une délétion de 4 pb dans un intron du gène, conduisant à un épissage aberrant de atm.

La délétion abolit totalement l’interaction avec une protéine (U1snRNP) du complexe d’épissage (splicosome), aboutissant à l’activation de l’exon surnuméraire de 65 pb.

Le défaut d’épissage pourrait peut-être selon les auteurs être corrigé par la modification de la protéine d’épissage, pouvant conduire à développer de nouveaux traitements pour l’ataxie-télangiectasie.

Source : Nature Genetics 11 mars 2002, publication électronique avancée, DOI:10.1038/ng858

PI

Descripteur MESH : Mutation , Télangiectasie , Maladie , ARN , Allemagne , Électronique , Exons , Italie , Mars , Syndrome

Recherche scientifique: Les +